第1126章 没有集成基带，所以功耗更高 (第3/3页)
拉，越逼近工艺极限频率，晶体管的漏电就越厉害。”
“通俗点说，就是芯片在什么都不干的时候，也在发热。”
陈星点头，这些基础原理他也清楚。
俞学林插了一句，“空闲都在发热？那干活的时候岂不是……”
“所以问题就在这里。”陆远江把笔放下，“对比膏通骁龙800的2.3GHZ到我们的2.6GHZ，频率提升了大约13%，但核心电压也相应提升了，综合下来功耗上涨了20%到30%之间。”
“这就是发热的根源之一。”
陈星没说话，等他继续往下讲。
陆远江搓了搓手，“我们团队做了一组和骁龙800的详细对比数据，陈总你看一下。”
“骁龙800这颗SOC，短时峰值功耗大约在4.2到4.5瓦之间，可持续稳定释放在2.8到3.2瓦。”
“我们凌霄H3呢，可持续稳定释放是3.3到3.5瓦。这个差距不大，在可接受范围内。”
陈星和俞学林对视了一眼，峰值功耗压得比骁龙低，说明芯片本身的能效比不错，起码比膏通的骁龙800要强。
“日常轻负载的时候，比如刷围脖、看新闻这种场景，整机SOC平均功耗在0.8到1.2瓦。idle空闲的漏电比骁龙800略高一点，这是2.6GHZ高频版本晶体管漏电的代价，没法完全消除，只能通过调度策略去缓解。”
说到这里，陆远江停顿了一下。
“但是！”
“数据上网场景下，问题就出来了。”
“骁龙800在数据上网时，SOC加基带的总功耗大约在3.4到3.8瓦。”
“我们凌霄H3呢，同样的场景，总功耗要到4.0到4.4瓦。”