第1126章 没有集成基带，所以功耗更高 (第2/3页)
”
俞学林刚准备走，陈星又叫住了他。
“等一下，H3的量产情况怎么样了？”
“TSMC那边28纳米HPM工艺的产能，去年咱们就预定了，晶圆供应没问题，已经开始量产了。”俞学林说，“陆教授那边一直在调功耗和发热。”
“主要是主频拉到2.6GHZ有点太高了。”
陈星沉吟了一下。
H3是凌霄系列的第三代芯片，也是红星今年下半年所有旗舰产品的核心。
这颗芯片的性能跑分确实比较OK，纸面参数比骁龙800还要强一点点。
但是！
漏电问题在HPM工艺下，也开始随着主频拉高而暴露了。
想了想，陈星按了一下桌面上的通话器。
“小沈，去请陆教授过来一趟。”
大约十坤分后，陆远江才过来，进门看到俞学林也在冲着他点了点头，然后说道：
“陈总，不好意思，实验室那边在跑一组频率稳定性测试，走不开。”
“没事，坐。”
陈星指了一下沙发，陆远江在俞学林旁边坐下。
“陆教授，俞总刚跟我说了H3的热阈值调试还在进行，目前还有问题？”
陆远江点了下头，没有任何遮掩。
“是的，坦白说问题比我预期的要顽固一些。”
“具体说说。”
“陈总，那我直说了，芯片主频拉到2.6GHZ以后，功耗和发热确实到了一个比较极限的位置。”
“芯片主频越高，需要的核心电压越高。CPU的功耗和电压的平方成正比，同时和频率成正比。”
“HPM工艺本身的特点就是静态漏电流比LP工艺更大，主频越往上
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