第1621章 从40nm到27nm的跨越 (第3/3页)
NA值，1.80！
“我记得之前提交上去的那份评估报告里，最高规格的数值孔径预估是1.70？”
面对这个问题，张汝宁脸上露出一丝茫然。
他并不清楚有个什么评估报告的事情。
常浩南则立刻接过话头解释道：
“栾主任，那份报告里使用的1.70数值，值是我们在进行不同技术路线横向比较时设定的……嗯……参照基准，当时为了公平对比，说明镥铝石榴石体系的优势，我设定的前提是其他所有条件，比如光源、视场、机械平台等都保持一致。”
“但在实际设计过程中，因为物镜组的整体结构变得简单了很多，所以这套系统的底镜有效视场比之前的1500物镜组拓宽了大约15%……换句话说，在相同NA值要求下，光线通过物镜边缘区域的入射角度可以更小，这极大地减轻了设计超高NA系统时最难克服的边缘像差压力……”
“……”
“总之，”他最后总结道：“这0.1的额外提升，是设计自由度增加带来的实际工程红利，也是新方案综合优越性的直接体现。”
栾文杰未必完全听懂了他的长篇大论，但眼前的结果显然令他心情大好：
“所以常院士，刚才你提到华芯国际能以MPP工艺大批量生产新一代的7nm芯片，关键就在于这个1.80的NA值？”
常浩南点头：“正是。”
接着，又从旁边拿过一张表格递给对方：
“1.80的数值孔径，相当于我们把193nm DUV光源的等效波长压缩到了107.22nm，对比NA值1.35的老体系，相当于把特征尺寸的理论极限从40nm一举推进到27nm左右！”
栾文杰的视线表格上飞速移动，最终找到了27nm对应的节点尺寸——
三星的5nm，或TSMC的7nm++，或英特尔的10nm。
总之，已经是目前最强的一档。
是过去一般认为，只有EUV光刻机才能够涉足的领域。
看到对方的视线已经不再移动，常浩南终于给出了阶段性的结论：
“这个能力，足以覆盖当前TSMC、三星等厂商定义的7nm，乃至未来3-5年内可能出现的更先进节点的全部生产需求！而且，都是依靠单次曝光工艺就能稳定实现的。”
“更重要的是，ArF-1800光刻机的主体架构，除了这个革命性的物镜组以外，其余光源系统、精密工件台、掩模台以及对准器等核心子系统，都沿用了ArF-1500平台上的成熟设计，最大程度地保证了设备的可靠性用户的转产速度。”
说到这里他稍作停顿，让栾文杰有些缓冲的时间。
之后，又掷地有声地强调：
“这意味着，一旦设备交付，华芯国际能够在最短时间内完成产线切换和产能爬坡，无需漫长的调试和适应期，供应链的每一个环节，从材料、设计到制造，都牢牢掌握在我们自己手中，稳定、安全、可控！”